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| Quantidade: | |
|---|---|
Especificação geral：
(1) Formato de exibição: 128 ´64 matriz de pontos;1/64 dever.
(2) Construção: LCD STN, CG Tipo
(3) Controlador: S6B0724
(4) Entrada de alimentação única de 3,0 V.Conversor DC/DC integrado interno para condução em LCD.
(5) Largura tipo de temperatura.
Parâmetro | Valor do suporte | Unidade |
Tamanho do ponto | 0,45(W) ´ 0,49(H) | milímetros |
Tamanho do ponto | 0,475(W) ´ 0,515(H) | milímetros |
Área de visualização | 65,5 (W) ´ 38,0(H) | milímetros |
Tamanho do módulo | 90,5(W) ´63,2(H) ´ 10,0 máx. (T) | milímetros |
Parâmetro | Símbolo | Mínimo | Máx. | Unidade | |
Lógica Tensão de alimentação do circuito | VDD-VSS | 3.0 | 3.3 | V | |
LCD Tensão de condução | VDD-VO | 8.2 | 8.6 | V | |
Entrada Tensão | VI | VSS | VDD | V | |
Temperatura normal.tipo | Operativo Temperatura. | TOP | -10 | 60 | °C |
Armazenar Temperatura. | TSTG | -20 | 70 | °C | |
Parâmetro | Símbolo | Condition | Mínimo | Tipo | Máx. | Unidade | Observação |
----- Características Eletrônicas ----- | |||||||
Lógica O circuito Tensão de alimentação | VDD-VSS | -- | 3.0 | --- | 3.3 | V |
|
LCD Tensão de condução | VDD-VO | 25 °C | -- | 8.6 | -- | V |
|
Entrada Tensão | VIH | -- | 0.7 VDD | -- | VDD | V |
|
VIL | -- | VSS | -- | 0.3 VDD | V |
| |
Corrente de alimentação lógica | DDI | VDD=3,0V | -- | 40 | -- | vocêA |
|
----- Características ópticas ----- | |||||||
Contraste | CR | Tipo STN |
| 8.6 |
|
|
|
Tempo de subida | tr | 25°C | -- | 140 | -- | EM | Nota 2 |
Tempo de outono | TF | 25°C | -- | 240 | -- | EM | |
Faixa de ângulo de visão | q f | 25°C& CR³2 | -- | 40 | -- |
Graus. | Nota 3 |
q b | -- | 35 | -- | ||||
q l | -- | 35 | -- | ||||
q r | -- | 35 | -- | ||||
Frequência de quadros | fF | 25°C | -- | 70 | -- | Hz |
|
----- Luz de fundo LED(Verde) Características ----- | |||||||
Avançar Tensão | FV | -- | -- | 3.0 | -- | V | Tensão de alimentação entre A&K |
Atual para a frente | SE | VF=3,0V | -- | 15 | -- | mA |
|
Intensidade luminosa LED nua | VF=3,0V | -- | -- | -- | cd/m2 |
| |
Intensidade luminosa LCM | VF=3,0V | -- |
| -- | cd/m2 |
| |
*************************************************************************
Tecnologia TFT-LCD, processo detalhado
Princípio de funcionamento do display de cristal líquido TFT-LCD
O processo de fabricação do display de cristal líquido com transistor de película fina possui as seguintes partes: A matriz TFT é formada no substrato TFT;formar um padrão de filtro colorido e uma camada condutora ITO no substrato do filtro colorido;com dois substratos para formar uma instalação de caixa de cristal líquido;circuito periférico, montagem do módulo de luz de fundo.
1. Processo para formar matriz TFT em substrato TFT
TFT realizou a industrialização dos tipos incluem: silício amorfo TFT (a-Si TFT), silício policristalino TFT (p-Si TFT), silício monocristalino TFT (c-Si) vários.Atualmente o mais utilizado é o TFT a-Si.
O processo de fabricação do a-Si TFT consiste primeiro em pulverizar o filme do material da porta no substrato de vidro borossilicato e, em seguida, formar o padrão de grade após a exposição da máscara, o desenvolvimento e a gravação a seco.Máquina de exposição escalonada para exposição geral da máscara.A segunda etapa é usar o método PECVD para formação contínua de filme, filme SiNx, filme a-Si não dopado, filme n+a-Si dopado com fósforo.Em seguida, o padrão a-Si da peça TFT é formado pela exposição da máscara e ataque a seco.A terceira etapa é formar um eletrodo transparente (filme ITO) por pulverização catódica e, em seguida, exibir o padrão do eletrodo por exposição à máscara e ataque úmido.O padrão de furo de contato do filme de isolamento extremo do quarto passo é formado pela exposição da máscara e pelo método de gravação a seco.A quinta etapa é pulverizar AL no filme, com exposição de máscara, gravando a fonte, o dreno e o padrão da linha de sinal do TFT.Finalmente, a película protetora é formada pelo método PECVD e, em seguida, o filme é gravado por exposição à máscara e ataque a seco.A película protetora é usada para proteger o eletrodo e o eletrodo e o eletrodo de exibição.Até agora, todo o processo está concluído.
A tecnologia de matriz TFT é a chave do processo de fabricação de TFT-LCD e a maior parte do investimento em equipamentos.Todo o processo requer um alto nível de purificação (por exemplo, nível 10).
Especificação geral：
(1) Formato de exibição: 128 ´64 matriz de pontos;1/64 dever.
(2) Construção: LCD STN, CG Tipo
(3) Controlador: S6B0724
(4) Entrada de alimentação única de 3,0 V.Conversor DC/DC integrado interno para condução em LCD.
(5) Largura tipo de temperatura.
Parâmetro | Valor do suporte | Unidade |
Tamanho do ponto | 0,45(W) ´ 0,49(H) | milímetros |
Tamanho do ponto | 0,475(W) ´ 0,515(H) | milímetros |
Área de visualização | 65,5 (W) ´ 38,0(H) | milímetros |
Tamanho do módulo | 90,5(W) ´63,2(H) ´ 10,0 máx. (T) | milímetros |
Parâmetro | Símbolo | Mínimo | Máx. | Unidade | |
Lógica Tensão de alimentação do circuito | VDD-VSS | 3.0 | 3.3 | V | |
LCD Tensão de condução | VDD-VO | 8.2 | 8.6 | V | |
Entrada Tensão | VI | VSS | VDD | V | |
Temperatura normal.tipo | Operativo Temperatura. | TOP | -10 | 60 | °C |
Armazenar Temperatura. | TSTG | -20 | 70 | °C | |
Parâmetro | Símbolo | Condition | Mínimo | Tipo | Máx. | Unidade | Observação |
----- Características Eletrônicas ----- | |||||||
Lógica O circuito Tensão de alimentação | VDD-VSS | -- | 3.0 | --- | 3.3 | V |
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LCD Tensão de condução | VDD-VO | 25 °C | -- | 8.6 | -- | V |
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Entrada Tensão | VIH | -- | 0.7 VDD | -- | VDD | V |
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VIL | -- | VSS | -- | 0.3 VDD | V |
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Corrente de alimentação lógica | DDI | VDD=3,0V | -- | 40 | -- | vocêA |
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----- Características ópticas ----- | |||||||
Contraste | CR | Tipo STN |
| 8.6 |
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Tempo de subida | tr | 25°C | -- | 140 | -- | EM | Nota 2 |
Tempo de outono | TF | 25°C | -- | 240 | -- | EM | |
Faixa de ângulo de visão | q f | 25°C& CR³2 | -- | 40 | -- |
Graus. | Nota 3 |
q b | -- | 35 | -- | ||||
q l | -- | 35 | -- | ||||
q r | -- | 35 | -- | ||||
Frequência de quadros | fF | 25°C | -- | 70 | -- | Hz |
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----- Luz de fundo LED(Verde) Características ----- | |||||||
Avançar Tensão | FV | -- | -- | 3.0 | -- | V | Tensão de alimentação entre A&K |
Atual para a frente | SE | VF=3,0V | -- | 15 | -- | mA |
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Intensidade luminosa LED nua | VF=3,0V | -- | -- | -- | cd/m2 |
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Intensidade luminosa LCM | VF=3,0V | -- |
| -- | cd/m2 |
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Tecnologia TFT-LCD, processo detalhado
Princípio de funcionamento do display de cristal líquido TFT-LCD
O processo de fabricação do display de cristal líquido com transistor de película fina possui as seguintes partes: A matriz TFT é formada no substrato TFT;formar um padrão de filtro colorido e uma camada condutora ITO no substrato do filtro colorido;com dois substratos para formar uma instalação de caixa de cristal líquido;circuito periférico, montagem do módulo de luz de fundo.
1. Processo para formar matriz TFT em substrato TFT
TFT realizou a industrialização dos tipos incluem: silício amorfo TFT (a-Si TFT), silício policristalino TFT (p-Si TFT), silício monocristalino TFT (c-Si) vários.Atualmente o mais utilizado é o TFT a-Si.
O processo de fabricação do a-Si TFT consiste primeiro em pulverizar o filme do material da porta no substrato de vidro borossilicato e, em seguida, formar o padrão de grade após a exposição da máscara, o desenvolvimento e a gravação a seco.Máquina de exposição escalonada para exposição geral da máscara.A segunda etapa é usar o método PECVD para formação contínua de filme, filme SiNx, filme a-Si não dopado, filme n+a-Si dopado com fósforo.Em seguida, o padrão a-Si da peça TFT é formado pela exposição da máscara e ataque a seco.A terceira etapa é formar um eletrodo transparente (filme ITO) por pulverização catódica e, em seguida, exibir o padrão do eletrodo por exposição à máscara e ataque úmido.O padrão de furo de contato do filme de isolamento extremo do quarto passo é formado pela exposição da máscara e pelo método de gravação a seco.A quinta etapa é pulverizar AL no filme, com exposição de máscara, gravando a fonte, o dreno e o padrão da linha de sinal do TFT.Finalmente, a película protetora é formada pelo método PECVD e, em seguida, o filme é gravado por exposição à máscara e ataque a seco.A película protetora é usada para proteger o eletrodo e o eletrodo e o eletrodo de exibição.Até agora, todo o processo está concluído.
A tecnologia de matriz TFT é a chave do processo de fabricação de TFT-LCD e a maior parte do investimento em equipamentos.Todo o processo requer um alto nível de purificação (por exemplo, nível 10).
